Diodes新型封裝元件有效節省PCB空間及增強充電器效能

 

 


Diodes新型封裝元件有效節省PCB空間及增強充電器效能

Diodes公司近日推出了採用高熱效、超微型DFN封裝的新型雙元件組合,適用於可攜式設備的充電和開關應用。

Diodes 亞太區技術市場總監梁後權指出,最新DMS2220LFDB及 DMS2120LFWB元件把一個20V的P通道增強型MOSFET與一個相伴的二極管結合封裝,提供2 x 2毫米的DFN2020格式和3 x 2毫米的DFN3020格式。另外的DMP2160UFDB則把兩個相同的MOSFET聯合封裝成DFN2020格式。

相較於傳統可攜式應用設計中體積較大的3 x 3毫米封裝,DFN2020可以節省55% 的PCB空間;離板高度只有0.5毫米,比傳統的封裝薄一半,能完全滿足下一代產品設計的需求。用於這些封裝的MOSFET皆具有低閘極電荷,在 1.8V的VGS下典型RDS(ON) 為86mΩ,可以保持最低的開關和通態損耗。

為了進一步提高操作效率,Diodes公司特別在這些封裝內採用了本身的高效能超級勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier)。元件的典型正向電壓低至0.42V,功率耗散量遠遠低於現在一般Schottky二極管。 

 

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